분류:개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
FET 특징:-
Id에 있는 Vgs(th) (맥스):250uA에 있는 2V
분류:개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
FET 특징:-
Id에 있는 Vgs(th) (맥스):20uA에 있는 2V
분류:개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
FET 특징:-
Id에 있는 Vgs(th) (맥스):4V @ 44μA
분류:개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
FET 특징:-
Id에 있는 Vgs(th) (맥스):2V @ 60μA
분류:개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
FET 특징:-
Id에 있는 Vgs(th) (맥스):100μA에서 2V
분류:개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
FET 특징:-
Id에 있는 Vgs(th) (맥스):3.9V @ 1mA
분류:개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
FET 특징:-
Id에 있는 Vgs(th) (맥스):20uA에 있는 2V
분류:개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
FET 특징:-
Id에 있는 Vgs(th) (맥스):675μA에서 3.9V
분류:개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
FET 특징:-
Id에 있는 Vgs(th) (맥스):200μA에서 3.9V
분류:개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
FET 특징:-
Id에 있는 Vgs(th) (맥스):200μA에서 3.9V
분류:개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
FET 특징:-
Id에 있는 Vgs(th) (맥스):3.9V @ 1mA
분류:개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다:12.4nC @ 4.5V
제품 상태:구식