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제품 상세 정보:
결제 및 배송 조건:
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| 부문 번호: | SI7949DP-T1-GE3 | 제조업자: | 비샤이 / 실아이코닉스 |
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| 설명: | 재고 중이고 다른 모델도 있습니다. | 수명: | 이 제조업체의 새 제품 |
| 데이터 시트: | SI7949DP-T1-GE3 데이터시트 PDF | 배달: | DHL、UPS、FedEx、등기우편 |
| 지불: | T/T 페이팔 비자 머니그램 웨스턴 유니온 | 더 많은 정보: | SI7949DP-T1-GE3 추가 정보 |
| 전자카드: | 무료 CAD 모델 요청 | 가격 (USD): | $1.66 |
| 발언: | 제조사: Vishay / Siliconix. Tanssion은 배포자 중 하나입니다. 광범위한 응용 분야. | 산: | 표면 마운트 |
| 강하 시간: | 30 나노 초 | 상승 시간: | 9 나노 초 |
| 비를 예정하세요: | 8541290080 | 핀 수: | 8 |
| 문턱 전압: | -3 Ｖ | 원소 수: | 2 |
| 정지 지연 시간: | 65ns | 최대 전력 손실: | 1.5 Ｗ |
| 민 작동 온도: | -55 'Ｃ | 소스 전압 (브그스)에 대한 게이츠: | 20 Ｖ |
| 소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요: | 60 Ｖ | 제품 카테고리: | 개별 반도체 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 |
| 데이터 시트: | SI7949DP-T1-GE3.pdf | 수량: | 1827 재고 있음 |
| 신청서: | 전력 공급 공장 자동화 및 제어 데이터 저장 | 무게: | 506.605978mg |
| 포장: | Digi-Reel® | Rds On Max: | 64mΩ |
| 경우 / 패키지: | SOIC | 전력 소모: | 1.5 Ｗ |
| 채널 수: | 2 | 턴 온 지연 시간: | 8 나노 초 |
| 요소 구조: | 듀얼 | 맥스 작동 온도: | 150℃ |
| 소스 저항에 고갈되세요: | 64mΩ | 연속배수 경향 (Id): | 3.2 A |
| 소오스 항복 전압에 고갈되세요: | -60 Ｖ |
SI7949DP-T1-GE3 개요\\\\nSI7949DP-T1-GE3는 트랜지스터 - FET, MOSFET - 배열 하위 범주에 속하는 모델입니다. 특정 제품 성능 매개 변수에 대해,데이터 시트를 참조하십시오., 예를 들어 PDF 파일 Docx 문서 등. 우리는 참조를 위해 SI7949DP-T1-GE3 고화질 사진과 데이터 시트를 가지고 있습니다.우리는 사용자가 우리의 제품을 더 직관적이고 포괄적으로 이해할 수 있도록 다양한 비디오 파일과 3D 모델을 계속 생산할 것입니다.. SI7949DP-T1-GE3는 전력 공급, 공장 자동화 및 제어, 데이터 저장에 널리 사용됩니다. 비샤이 / 실리코닉스가 제조하고 팬스, 텐션 및 기타 유통업체에 의해 배포됩니다.SI7949DP-T1-GE3는 여러 가지 방법으로 구입할 수 있습니다.이 웹 사이트에서 직접 주문하거나 전화하거나 이메일을 보낼 수 있습니다. 현재, 우리는 충분한 공급을 가지고 있습니다.우리는 또한 귀하의 필요를 충족하기 위해 동료 유통업체에 재고를 조정할 수 있습니다. SI7949DP-T1-GE3의 공급이 충분하지 않다면, 우리는 또한 그것을 대체하기 위해 분별 반도체 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - 배열 범주 아래 다른 모델을 가지고 있습니다. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. 그래서 당신은 확신을 가지고 팬에서 SI7949DP-T1-GE3를 주문 할 수 있습니다. 배달에 대해, 우리는 DHL, FedEx, UPS,TNT 및 EMS 또는 다른 운송업자운송에 대해 더 알고 싶다면, 더 자세한 사항에 대해 저희에게 연락하십시오.
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