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SI4670DY-T1-GE3

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큰 이미지 :  SI4670DY-T1-GE3

제품 상세 정보: 결제 및 배송 조건:
설명: SI4670DY-T1-GE3 데이터 시트 pdf 및 트랜지스터 - FET, MOSFET - Vishay/Silinix 재고의 어레이 제품 세부 정보는 Tanssion에서 구매 가능

SI4670DY-T1-GE3

설명
부문 번호: SI4670DY-T1-GE3 제조업자: 비샤이 / 실아이코닉스
설명: 재고 중이고 다른 모델도 있습니다. 수명: 이 제조업체의 새 제품
데이터 시트: SI4670DY-T1-GE3 데이터시트 PDF 배달: DHL、UPS、FedEx、등기우편
지불: T/T 페이팔 비자 머니그램 웨스턴 유니온 더 많은 정보: SI4670DY-T1-GE3 추가 정보
전자카드: 무료 CAD 모델 요청 가격 (USD): $0.51
발언: 제조사: Vishay / Siliconix. Tanssion은 배포자 중 하나입니다. 광범위한 응용 분야. 산: 표면 마운트
높이: 1.55mm 무게: 186.993455mg
포장: Digi-Reel® Rds On Max: 23mΩ
핀 수: 8 채널 수: 2
정지 지연 시간: 20 나노 초 맥스 작동 온도: 150℃
소스 저항에 고갈되세요: 23mΩ 연속배수 경향 (Id): 7A
소오스 항복 전압에 고갈되세요: 25 V 제품 카테고리: 개별 반도체 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
데이터 시트: SI4670DY-T1-GE3.pdf 수량: 4973 재고 있음
신청서: 휴대용 전자제품 너비: 4mm
길이: 5 밀리미터 강하 시간: 50 나노 초
상승 시간: 50 나노 초 경우 / 패키지: SOIC
입력 커패시턴스: 680pF 턴 온 지연 시간: 15 나노 초
최대 전력 손실: 1.8 W 민 작동 온도: -55 'C
소스 전압 (브그스)에 대한 게이츠: 16 V 소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요: 25 V

SI4670DY-T1-GE3 개요\\\\nSI4670DY-T1-GE3는 트랜지스터 - FET, MOSFET - 배열 하위 범주에 속하는 모델입니다. 특정 제품 성능 매개 변수에 대해,데이터 시트를 참조하십시오., 예를 들어 PDF 파일 Docx 문서 등. 우리는 참조를 위해 SI4670DY-T1-GE3 고화질 사진과 데이터 시트를 가지고 있습니다.우리는 사용자가 우리의 제품을 더 직관적이고 포괄적으로 이해할 수 있도록 다양한 비디오 파일과 3D 모델을 계속 생산할 것입니다.SI4670DY-T1-GE3는 휴대용 전자제품에 널리 사용된다. 비샤이 / 실리코닉스가 제조하고 팬스, 텐션 및 기타 유통업체에 의해 배포된다.SI4670DY-T1-GE3는 여러 가지 방법으로 구입할 수 있습니다.이 웹 사이트에서 직접 주문하거나 전화하거나 이메일을 보낼 수 있습니다. 현재, 우리는 충분한 공급을 가지고 있습니다.우리는 또한 귀하의 필요를 충족하기 위해 동료 유통업체에 재고를 조정할 수 있습니다. SI4670DY-T1-GE3의 공급이 충분하지 않으면, 우리는 또한 그것을 대체하기 위해 분별 반도체 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - 배열 범주 아래 다른 모델이 있습니다. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. 그래서 당신은 자신감과 함께 팬에서 SI4670DY-T1-GE3 주문 할 수 있습니다. 배달에 대해, 우리는 DHL, FedEx, UPS와 같은 다양한 물류를 통해 고객에게 물건을 배달 할 수 있습니다.TNT 및 EMS 또는 다른 운송업자운송에 대해 더 알고 싶다면, 더 자세한 사항에 대해 저희에게 연락하십시오.
si4670dy.pdf

연락처 세부 사항
Sensor (HK) Limited

담당자: Liu Guo Xiong

전화 번호: +8618200982122

팩스: 86-755-8255222

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