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제품 상세 정보:
결제 및 배송 조건:
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| 부문 번호: | NTMD6N03R2G | 제조업자: | 산요 반도체/온세미컨덕터 |
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| 설명: | 재고 중이고 다른 모델도 있습니다. | 수명: | 이 제조업체의 새 제품 |
| 데이터 시트: | NTMD6N03R2G 데이터시트 PDF | 배달: | DHL、UPS、FedEx、등기우편 |
| 지불: | T/T 페이팔 비자 머니그램 웨스턴 유니온 | 더 많은 정보: | NTMD6N03R2G 추가 정보 |
| 전자카드: | 무료 CAD 모델 요청 | 가격 (USD): | $0.90 |
| 발언: | 제조사: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor. Tanssion은 배포자 중 하나입니다. 광범위한 응용 분야. | 산: | 표면 마운트 |
| 포장: | Digi-Reel® | Rds On Max: | 32 mΩ |
| 비를 예정하세요: | 8541290080 | 현재 등급: | 6 A |
| 접착장: | 주석 | 전력 소모: | 2 Ｗ |
| 원소 수: | 2 | 정류압 (DC): | 30V |
| 맥스 작동 온도: | 150℃ | 소스 저항에 고갈되세요: | 32 mΩ |
| 연속배수 경향 (Id): | 6 A | 소오스 항복 전압에 고갈되세요: | 30V |
| 제품 카테고리: | 개별 반도체 - 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 | 데이터 시트: | NTMD6N03R2G.pdf |
| 수량: | 5560 재고 있음 | 신청서: | 전력 공급 조명 그리드 인프라 |
| 강하 시간: | 45 나노 초 | 상승 시간: | 22 나노 초 |
| 저항력: | 32 mΩ | 경우 / 패키지: | SOIC |
| 핀 수: | 8 | 입력 커패시턴스: | 950pF |
| 문턱 전압: | 1.8 Ｖ | 정지 지연 시간: | 45 나노 초 |
| 최대 전력 손실: | 2 Ｗ | 민 작동 온도: | -55 'Ｃ |
| 소스 전압 (브그스)에 대한 게이츠: | 20 Ｖ | 소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요: | 30V |
NTMD6N03R2G 개요\\\\nNTMD6N03R2G는 디스크리트 반도체 하에 있는 트랜지스터 - FET, MOSFET - 배열 하위 범주에 속하는 모델이다. 특정 제품 성능 매개 변수에 대해,데이터 시트를 참조하십시오., 예를 들어 PDF 파일 Docx 문서 등 우리는 참조를 위해 NTMD6N03R2G 고화질 사진과 데이터 시트를 가지고 있습니다.우리는 사용자가 우리의 제품을 더 직관적이고 포괄적으로 이해할 수 있도록 다양한 비디오 파일과 3D 모델을 계속 생산할 것입니다.NTMD6N03R2G는 전력 공급, 조명, 그리드 인프라에 널리 사용됩니다. 산요 반도체 / ON 반도체에서 제조하고 팬스, 텐션 및 기타 유통업체에 의해 배포됩니다.NTMD6N03R2G는 여러 가지 방법으로 구입할 수 있습니다.이 웹 사이트에서 직접 주문하거나 전화하거나 이메일을 보낼 수 있습니다. 현재, 우리는 충분한 공급을 가지고 있습니다.우리는 또한 귀하의 필요를 충족하기 위해 동료 유통업체에 재고를 조정할 수 있습니다만약 NTMD6N03R2G의 공급이 충분하지 않다면, 우리는 그것을 대체하기 위해 분별 반도체 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Arrays 카테고리의 다른 모델도 가지고 있습니다. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. 그래서 당신은 자신감과 함께 팬에서 NTMD6N03R2G를 주문 할 수 있습니다. 배달에 대해, 우리는 DHL, FedEx, UPS와 같은 다양한 물류를 통해 고객에게 물건을 배달 할 수 있습니다.TNT 및 EMS 또는 다른 운송업자운송에 대해 더 알고 싶다면, 더 자세한 사항에 대해 저희에게 연락하십시오.
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