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FQD4P25TF

FQD4P25TF
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제품 상세 정보: 결제 및 배송 조건:
설명: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK

FQD4P25TF

설명
분류: 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET FET 특징: -
Id에 있는 Vgs(th) (맥스): 250uA에 있는 5V 작동 온도: -55' C ~ 150' C (TJ)
패키지 / 케이스: TO-252-3, 드팩 (2개 리드 + 탭), SC-63 게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다: 10 V에 있는 14 nC
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds: 2.1옴 @ 1.55A, 10V FET은 타이핑합니다: P-채널
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다): 10V 패키지: 테이프 & 롤 (TR)
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요: 250V 브그스 (맥스): ±30V
제품 상태: 구식 Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스): 25V에서 420pF
장착형: 표면 마운트 시리즈: QFET®
공급자의 장치 패키지: TO-252AA Mfr: 1개
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) 전력 소모 (맥스): 2.5W(Ta), 45W(Tc)
기술: MOSFET (금속 산화물) 기본 제품 번호: FQD4

P 채널 250 V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 표면 마운트 TO-252AA

연락처 세부 사항
Sensor (HK) Limited

담당자: Liu Guo Xiong

전화 번호: +8618200982122

팩스: 86-755-8255222

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