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WP2806008UH

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WP2806008UH

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제품 상세 정보: 결제 및 배송 조건:
설명: RF GaN HEMT 28V DC ~ 6GHZ, 8W
접촉

WP2806008UH

설명
분류: 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET RF FET, MOSFET 제품 상태: 액티브
장착형: 구멍을 통해 전압 - 평가됩니다: 160V
패키지: 상자 시리즈: -
소음 지수: - 공급자의 장치 패키지: 360BH
전압 - 테스트: 28 Ｖ Mfr: 웨이브피아(주)
빈도: 6GHz 이득: 11dB
패키지 / 케이스: 360BH 경향 - 테스트: 70 마
전원 - 생산: 6W 기술: GaN HEMT
전류 등급 (Amps): -

RF 모스페트 28V 70mA 6GHz 11dB 6W 360BH

태그:

트랜지스터 IC,

트랜지스터 통합 회로,

트랜지스터 ICS

연락처 세부 사항
Sensor (HK) Limited

담당자: Liu Guo Xiong

전화 번호: +8618200982122

팩스: 86-755-8255222

회사에 직접 문의 보내기 (0 / 3000)

약

MCU IC

TJA1145T/FD MCU IC 모터 제어용 고정도 마이크로 컨트롤러 칩

FDC655BN 마이크로 컨트롤러 통합 회로 확장성과 유연성

UJA1168ATK/F/0Z 마이크로 컨트롤러 칩 실시간 기능 MCU IC

FFC FPC 연결기

10 위치 사이드 콘택트 유연한 인쇄 회로 커넥터 006208514210000+

하위 접촉 FFC FPC 커넥터 046232106103800+ 106 위치

오른쪽 각 FH19C-20S-0.5SH ((05) 0.5mm 피치와 평면 플렉스 커넥터

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