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GPI6TIC15DFV

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큰 이미지 :  GPI6TIC15DFV

제품 상세 정보: 결제 및 배송 조건:
설명: Power GaN HEMT 기반의 전력 IC

GPI6TIC15DFV

설명
분류: 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET RF FET, MOSFET 제품 상태: 액티브
구성: 엔-채널 전압 - 평가됩니다: 900 V
패키지: 튜브 시리즈: -
소음 지수: - 공급자의 장치 패키지: 8-DFN(8x8)
전압 - 테스트: 6.5 V Mfr: GaN파워
빈도: - 이득: -
패키지 / 케이스: 8-WDFN 노출 패드 경향 - 테스트: 2.5 A
전원 - 생산: - 기술: MOSFET
전류 등급 (Amps): -

RF 모스페트 6.5 V 2.5 A 8-DFN (8x8)

연락처 세부 사항
Sensor (HK) Limited

담당자: Liu Guo Xiong

전화 번호: +8618200982122

팩스: 86-755-8255222

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