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PBSS4160PAN115

PBSS4160PAN115
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큰 이미지 :  PBSS4160PAN115

제품 상세 정보: 결제 및 배송 조건:
설명: 현재 NEXPERIA PBSS4160PAN - 소형

PBSS4160PAN115

설명
분류: 개별 반도체 제품 트랜지스터 양극성(BJT) 양극성 트랜지스터 어레이 경향 - 수집기 (Ic) (맥스): 1A
제품 상태: 액티브 트랜지스터형: (이원적인) 2 NPN
장착형: 표면 마운트 주파수 - 변화: 175MHz
패키지: 대용품 시리즈: -
Ib, Ic에 있는 프스 포화 (맥스): 120mV @ 50mA, 500mA 전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스): 60V
공급자의 장치 패키지: 6-휴슨(2x2) Mfr: NXP USA Inc.
경향 - 집전기 절단 (맥스): 100nA (ICBO) 전원 - 맥스: 510mW
패키지 / 케이스: 6-UFDFN 노출된 패드 작동 온도: 150' C (TJ)
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민): 150 @ 500mA, 2V 기본 제품 번호: PBSS4160

양극 (BJT) 트랜지스터 배열 2 NPN (두중) 60V 1A 175MHz 510mW 표면 마운트 6-HUSON (2x2)

연락처 세부 사항
Sensor (HK) Limited

담당자: Liu Guo Xiong

전화 번호: +8618200982122

팩스: 86-755-8255222

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