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PBSS4230PANP115

PBSS4230PANP115
PBSS4230PANP115

큰 이미지 :  PBSS4230PANP115

제품 상세 정보: 결제 및 배송 조건:
설명: 현재 NEXPERIA PBSS4230PANP - 소형

PBSS4230PANP115

설명
분류: 개별 반도체 제품 트랜지스터 양극성(BJT) 양극성 트랜지스터 어레이 경향 - 수집기 (Ic) (맥스): 2A
제품 상태: 액티브 트랜지스터형: NPN, PNP
장착형: 표면 마운트 주파수 - 변화: 120MHz
패키지: 대용품 시리즈: -
Ib, Ic에 있는 프스 포화 (맥스): 290mV @ 200mA, 2A 전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스): 30V
공급자의 장치 패키지: 6-휴슨(2x2) Mfr: NXP USA Inc.
경향 - 집전기 절단 (맥스): 100nA (ICBO) 전원 - 맥스: 510mW
패키지 / 케이스: 6-UFDFN 노출된 패드 작동 온도: 150' C (TJ)
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민): 200 @ 1A, 2V 기본 제품 번호: PBSS4230

양극 (BJT) 트랜지스터 배열 NPN, PNP 30V 2A 120MHz 510mW 표면 마운트 6-HUSON (2x2)

연락처 세부 사항
SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD

담당자: Miss. Coral

전화 번호: +86 15211040646

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