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71V256SA15YG

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큰 이미지 :  71V256SA15YG

제품 상세 정보: 결제 및 배송 조건:
설명: 71V256 - 낮은 전력 3.3V CMOS F

71V256SA15YG

설명
분류: 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 제품 상태: 액티브
장착형: 표면 마운트 패키지: 대용품
시리즈: - 프로그램 가능한 디기키: 확인되지 않았습니다.
기억기접합: 대비 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: 15 나노 초
공급자의 장치 패키지: 28-SOJ 기억 영역형: 휘발성 물질
Mfr: IDT, 통합 장치 기술 Inc 메모리 용량: 256Kbit
전압 - 공급: 3V ~ 3.6V 엑세스 시간: 15 나노 초
패키지 / 케이스: 28-BSOJ(0.300", 폭 7.62mm) 메모리구성: 32K X 8
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 기술: SRAM - 비동시적입니다
기본 제품 번호: 71V256 메모리 포맷: SRAM

SRAM - 비동기 메모리 IC 256Kbit 병렬 15 ns 28-SOJ

연락처 세부 사항
Sensor (HK) Limited

담당자: Liu Guo Xiong

전화 번호: +8618200982122

팩스: 86-755-8255222

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