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| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 | 메모리 용량: | 9Mbit |
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| 제품 상태: | 액티브 | 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 대용품 | 시리즈: | - |
| 프로그램 가능한 디기키: | 확인되지 않았습니다. | 기억기접합: | 대비 |
| 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: | - | 공급자의 장치 패키지: | 165-CABGA(13x15) |
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 | Mfr: | IDT, 통합 장치 기술 Inc |
| 클럭 주파수: | 150 마하즈 | 전압 - 공급: | 3.135V ~ 3.465V |
| 엑세스 시간: | 3.8 나노 초 | 패키지 / 케이스: | 165-TBGA |
| 메모리구성: | 512K x 18 | 작동 온도: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 기술: | SRAM - 동기식, SDR(ZBT) | 기본 제품 번호: | 71V65803 |
| 메모리 포맷: | SRAM |
SRAM - 동기, SDR (ZBT) 메모리 IC 9Mbit 평행 150 MHz 3.8 ns 165-CABGA (13x15)
담당자: Liu Guo Xiong
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