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R1RW0416DSB-2PI#D1

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제품 상세 정보: 결제 및 배송 조건:
설명: R1RW0416D-I - 넓은 온도 R
접촉

R1RW0416DSB-2PI#D1

설명
분류: 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 제품 상태: 액티브
장착형: 표면 마운트 패키지: 대용품
시리즈: R1RW0416DI 기억기접합: 대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: 12 나노 초 공급자의 장치 패키지: 44-TSOP II
기억 영역형: 휘발성 물질 Mfr: 르네사스
메모리 용량: 4Mbit 전압 - 공급: 3V ~ 3.6V
패키지 / 케이스: 44 TSOP (0.400 ", 10.16 밀리미터 폭) 메모리구성: 256K x 16
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 기술: SRAM - 비동시적입니다
엑세스 시간: 12ns 메모리 포맷: SRAM

SRAM - 비동기 메모리 IC 4Mbit 병렬 12 ns 44-TSOP II

태그:

IC 메모리는 자릅니다,

메모리 IC 칩,

메모리 제어기 ic

연락처 세부 사항
Sensor (HK) Limited

담당자: Liu Guo Xiong

전화 번호: +8618200982122

팩스: 86-755-8255222

회사에 직접 문의 보내기 (0 / 3000)

약

MCU IC

TJA1145T/FD MCU IC 모터 제어용 고정도 마이크로 컨트롤러 칩

FDC655BN 마이크로 컨트롤러 통합 회로 확장성과 유연성

UJA1168ATK/F/0Z 마이크로 컨트롤러 칩 실시간 기능 MCU IC

FFC FPC 연결기

10 위치 사이드 콘택트 유연한 인쇄 회로 커넥터 006208514210000+

하위 접촉 FFC FPC 커넥터 046232106103800+ 106 위치

오른쪽 각 FH19C-20S-0.5SH ((05) 0.5mm 피치와 평면 플렉스 커넥터

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