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100V BUK7240-100A,118 MOSFET 칩 전력 전자 장치에 대한 저항이 낮다

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100V BUK7240-100A,118 MOSFET 칩 전력 전자 장치에 대한 저항이 낮다

100V BUK7240-100A,118 MOSFET 칩 전력 전자 장치에 대한 저항이 낮다
100V BUK7240-100A,118 MOSFET 칩 전력 전자 장치에 대한 저항이 낮다

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제품 상세 정보: 결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1000pcs
가격: Negotiated
주식: 5200-20000
운송 방법: LCL, 에어, FCL, 익스프레스
설명: BUK7240-100A,118은 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 칩 범주에 속합니다.
지불 조건: T/T

100V BUK7240-100A,118 MOSFET 칩 전력 전자 장치에 대한 저항이 낮다

설명
드레인-소스 전압 (프즈스): 100V 연속배수 경향 (Id): 25°C에서 최대 34A(Tc)
게이트 소스 임계전압: 1mA에 있는 4V
강조하다:

100V MOSFET 칩

,

BUK7240-100A 118 MOSFET 칩

BUK7240-100A,118은MOSFET (금속산화 반도체 현장효과 트랜지스터) 칩이 칩은 Nexperia에서 제조하고 있으며 특정 전기적 특성과 패키지 사양을 갖추고 있습니다.

다음은 BUK7240-100A,118 칩의 몇 가지 주요 매개 변수 및 특성입니다.

  1. 전기 특성:
    • 배수 소스 전압 (Vdss): 100V
    • 연속 배수 전류 (Id): 25°C에서 최대 34A (Tc)
    • 포트 소스 임계 전압 (Vgs th): 4V @ 1mA
    • 방출원 온 저항 (Rds On): 40mΩ @ 25A, 10V
    • 최대 전력 분산 (Pd): Ta=25°C에서 최대 114W (Tc)
  2. 포장 사양:
    • 패키지 형식은 다른 공급자 또는 팩에 따라 SOT428, DPAK, SOT-252 등을 포함할 수 있습니다.
    • 패키지 바디 재료는 일반적으로 플래스틱 / 에포크시이며, 좋은 단열 및 열 분산 특성을 제공합니다.
  3. 작동 온도 범위:
    • 최소 작동 온도: -55°C
    • 최대 작동 온도: +175°C
  4. 다른 특징:
    • 채널 모드: 강화 모드
    • 트랜지스터 극성: N 채널
    • RoHS: 네 (특정한 위험한 물질의 사용을 제한하는 유럽 연합 RoHS 지침에 부합하는 것을 나타냅니다.)

BUK7240-100A,118 칩은 높은 전류 처리 능력, 낮은 저항 및 넓은 작동 온도 범위로 전력 전자, 모터 드라이브,전력 관리, 및 다른 필드. 전류 흐름의 정확한 제어 및 조절을 가능하게 한 회로의 ON / OFF 상태를 제어하는 스위치 요소로 사용될 수 있습니다.100V BUK7240-100A,118 MOSFET 칩 전력 전자 장치에 대한 저항이 낮다 0

연락처 세부 사항
Sensor (HK) Limited

담당자: Liu Guo Xiong

전화 번호: +8618200982122

팩스: 86-755-8255222

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